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研发工程师—功率MOSFET设计

工作地点:南京
工作地址: 南京市江北新区研创园江淼路88号腾飞大厦C栋13楼
联系人:刘女士
邮箱:cjhr@jscj-elec.com

岗位职责:

1、参与项目的可行性分析,负责产品开发的方案的制定与修改,技术风险评估,流程(含技术文文件)管理,重要产品的客户技术沟通等;

2、负责公司相关芯片的设计与开发工作;

3、新产品量产导入以及提升新产品良率;

4、相关专利文件撰写及申请。

任职资格:

1、硕士及以上学历,微电子/电子工程/电子科学等相关专业,英语良好;

2、熟悉半导体物理,半导体制程及电子电路相关知识;

3、具备实际操作半导体组件模似软件及布局软件经验;

4、5年以上功率MOSFET设计经验,具有屏蔽栅/分立栅(SGT) MOSFET或是超结(Super Junction) MOSFET设计经验者尤佳;

5、具有丰富的电子知识,具有良好的电子电路分析能力。